DataSheet26.com


M24L16161ZA даташит

Функция этой детали – «16-mbit (1m X 16) Pseudo StatIC Ram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M24L16161ZA Elite Semiconductor Memory Technology
Elite Semiconductor Memory Technology
  16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM

ESMT Revision History : Revision 1.0 (Jul. 4, 2007) - Original M24L16161ZA Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Publication Date : Jul. 2007 Revision : 1.0 1/15 ESMT PSRAM Features ‧Wide voltage range: 2.2V–3.6V • Access Time: 70 ns • Ultra-low active power— Typical active current: 3 mA @ f = 1 MHz— Typical active current: 18 mA @ f = fmax • Ultra low standby power • Automatic power-down when deselected • CMOS for optimum speed/power • Deep Sleep Mode • Offered in a L
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "24L16161ZA", "M24L1616"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M24L16161DA Elite Semiconductor Memory Technology
Elite Semiconductor Memory Technology

16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM

ESMT Revision History : Revision 1.0 (Jul. 4, 2007) - Original M24L16161DA Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Publication Date : Jul. 2007 Revision : 1.0 1/12 ESMT PSRAM Features • Wide voltage range: 2.2V–3.6V • Access Time: 70 ns • Ultra
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты