|
M24L16161ZA даташитФункция этой детали – «16-mbit (1m X 16) Pseudo StatIC Ram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M24L16161ZA | Elite Semiconductor Memory Technology |
16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM ESMT
Revision History :
Revision 1.0 (Jul. 4, 2007) - Original
M24L16161ZA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007 Revision : 1.0 1/15
ESMT
PSRAM
Features
‧Wide voltage range: 2.2V–3.6V • Access Time: 70 ns • Ultra-low active power— Typical active current: 3 mA @ f = 1 MHz— Typical active current: 18 mA @ f = fmax • Ultra low standby power • Automatic power-down when deselected • CMOS for optimum speed/power • Deep Sleep Mode • Offered in a L |
Это результат поиска, начинающийся с "24L16161ZA", "M24L1616" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M24L16161DA | Elite Semiconductor Memory Technology |
16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM ESMT
Revision History :
Revision 1.0 (Jul. 4, 2007) - Original
M24L16161DA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Jul. 2007 Revision : 1.0 1/12
ESMT
PSRAM
Features
• Wide voltage range: 2.2V–3.6V • Access Time: 70 ns • Ultra |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |