DataSheet26.com


M24L816512SA даташит

Функция этой детали – «8-mbit (512k X 16) Pseudo StatIC Ram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M24L816512SA Elite Semiconductor Memory Technology
Elite Semiconductor Memory Technology
  8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM

ESMT PSRAM Features ‧Advanced low-power architecture • High speed: 55 ns, 70 ns • Wide voltage range: 2.7V to 3.6V • Typical active current: 2 mA @ f = 1 MHz • Typical active current: 11 mA @ f = fMAX • Low standby power • Automatic power-down when deselected M24L816512SA 8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM Byte Low Enable are disabled ( BHE , BLE HIGH), or during a write operation ( CE LOW and WE LOW). Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable( CE LOW) and Write En
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "24L816512SA", "M24L81651"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M24L816512DA Elite Semiconductor Memory Technology
Elite Semiconductor Memory Technology

8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM

ESMT PSRAM Features ‧Advanced low-power architecture • High speed: 55 ns, 70 ns • Wide voltage range: 2.7V to 3.6 V • Typical active current: 2 mA @ f = 1 MHz • Typical active current: 11 mA @ f = fMAX • Low standby power • Automatic power-down when deselected www.
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты