|
M25PE80 даташитФункция этой детали – «Page-erasable Serial Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M25PE80 | ST Microelectronics |
Page-Erasable Serial Flash memory
M25PE80
8 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout
Features
■ ■ ■
SPI bus compatible serial interface 8-Mbit Page-Erasable Flash memory Page size: 256 bytes – Page Write in 11 ms (typical) – Page Program in 0.8 ms (typical) – Page Erase in 10 ms (typical) SubSector Erase (4 Kbytes) Sector Erase (64 Kbytes) Bulk Erase (8 Mbits) 2.7 V to 3.6 V single supply voltage 50 MHz clock rate (maximum) Deep Power-down mode 1 µA (t |
|
M25PE80 | Numonyx |
page-erasable serial flash memory M25PE80
8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout
Features
■ SPI bus compatible serial interface ■ 8-Mbit page-erasable flash memory ■ Page size: 256 bytes
– Page write in 11 ms (typical) – Page program in 0.8 ms (typical) – Page erase in 10 ms (typical) ■ Subsector erase (4 Kbytes) ■ Sector erase (64 Kbytes) ■ Bulk erase (8 Mbits) ■ 2.7 V to 3.6 V single supply voltage ■ 75 MHz clock rate (maximum) ■ Deep power-down mode 1 µA (typical) � |
|
M25PE80 | Micron |
8Mb 3V NOR Serial Flash Memory M25PE80 Serial Flash Memory Features
M25PE80 8Mb 3V NOR Serial Flash Memory
Serial Flash Memory with Byte Alterability, 75 MHz SPI bus, Standard Pinout
Features
• 8Mb of page-erasable Flash memory • 2.7V to 3.6V single supply voltage • SPI bus-compatible serial interface • 75 MHz clock rate (maximum) • Page size: 256 bytes
– Page write in 11ms (TYP) – Page program in 0.8ms (TYP) – Page erase in 10ms (TYP) • Subsector erase: 4KB – Sector erase: 64KB – Bulk erase: 8Mb • Deep power-down mode: 1µA ( |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |