DataSheet26.com


M25PE80 даташит

Функция этой детали – «Page-erasable Serial Flash Memory».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M25PE80 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  Page-Erasable Serial Flash memory

M25PE80 8 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout Features ■ ■ ■ SPI bus compatible serial interface 8-Mbit Page-Erasable Flash memory Page size: 256 bytes – Page Write in 11 ms (typical) – Page Program in 0.8 ms (typical) – Page Erase in 10 ms (typical) SubSector Erase (4 Kbytes) Sector Erase (64 Kbytes) Bulk Erase (8 Mbits) 2.7 V to 3.6 V single supply voltage 50 MHz clock rate (maximum) Deep Power-down mode 1 µA (t
pdf
M25PE80 Numonyx
Numonyx
  page-erasable serial flash memory

M25PE80 8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout Features ■ SPI bus compatible serial interface ■ 8-Mbit page-erasable flash memory ■ Page size: 256 bytes – Page write in 11 ms (typical) – Page program in 0.8 ms (typical) – Page erase in 10 ms (typical) ■ Subsector erase (4 Kbytes) ■ Sector erase (64 Kbytes) ■ Bulk erase (8 Mbits) ■ 2.7 V to 3.6 V single supply voltage ■ 75 MHz clock rate (maximum) ■ Deep power-down mode 1 µA (typical) �
pdf
M25PE80 Micron
Micron
  8Mb 3V NOR Serial Flash Memory

M25PE80 Serial Flash Memory Features M25PE80 8Mb 3V NOR Serial Flash Memory Serial Flash Memory with Byte Alterability, 75 MHz SPI bus, Standard Pinout Features • 8Mb of page-erasable Flash memory • 2.7V to 3.6V single supply voltage • SPI bus-compatible serial interface • 75 MHz clock rate (maximum) • Page size: 256 bytes – Page write in 11ms (TYP) – Page program in 0.8ms (TYP) – Page erase in 10ms (TYP) • Subsector erase: 4KB – Sector erase: 64KB – Bulk erase: 8Mb • Deep power-down mode: 1µA (
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты