|
M27512 даташитФункция этой детали – «Nmos 512k 64k X 8 Uv Eprom». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M27512 | STMicroelectronics |
NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM M27512
NMOS 512K (64K x 8) UV EPROM
FAST ACCESS TIME: 200ns EXTENDED TEMPERATURE RANGE SINGLE 5V SUPPLY VOLTAGE LOW STANDBY CURRENT: 40mA max TTL COMPATIBLE DURING READ and PROGRAM FAST PROGRAMMING ALGORITHM ELECTRONIC SIGNATURE PROGRAMMING VOLTAGE: 12V
28
1
FDIP28W (F)
DESCRIPTION The M27512 is a 524,288 bit UV erasable and electrically programmable memory EPROM. It is organized as 65,536 words by 8 bits. The M27512 is housed in a 28 Pin Window Ceramic Frit-Seal Dual-in-Line package. The transparent lid allows the u |
|
M27512-20F1 | STMicroelectronics |
NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
|
M27512-2F1 | STMicroelectronics |
NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
|
M27512-3F1 | STMicroelectronics |
NMOS 512K 64K x 8 UV EPROM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |