|
M27V400 даташитФункция этой детали – «4 Mbit 512kb X8 Or 256kb X16 Uv». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M27V400 | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM M27V400
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16) UV EPROM and OTP EPROM
NOT FOR NEW DESIGN
s s
M27V400 is replaced by the M27W400 3V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ OPERATION ACCESS TIME: 100ns BYTE-WIDE or WORD-WIDE CONFIGURABLE 4 Mbit MASK ROM REPLACEMENT LOW POWER CONSUMPTION – Active Current 30mA at 8MHz – Stand-by Current 20µA
40
40
s s
s s
1
1
FDIP40W (F)
PDIP40 (B)
s s s
PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V PROGRAMMING TIME: 50µs/word ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code: B8h Figure 1. |
|
M27V400-100B1TR | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
|
M27V400-100B6TR | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
|
M27V400-100F1TR | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
|
M27V400-100F6TR | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
|
M27V400-100XB1TR | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
|
M27V400-100XB6TR | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
|
M27V400-100XF1TR | STMicroelectronics |
4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
[1]  [2]
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |