|
M28N-1 даташитФункция этой детали – «Dc Mini-motors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M28N-1 | Mitsumi Electronics |
DC Mini-Motors MITSUMI
DC Mini-Motors
M28N-1 Series
DC Mini-Motors
Applications
1. Printer 2. Power assistance
SPECIFICATIONS
SPEC-NO Items Rated Voltage (V) Voltage Range (V) Rated Load (mN·m) No Load Speed (rpm) No Load Current (mA) Starting Torque (mN·m) Rotation R-147381 24.2 3.0~30.0 9.8 7200 70 51 CW/CCW
*Encoders available as options.
CHARACTERISTICS
10000 8000 Speed (rpm)
M28N-1 Series
(R-147381)
2.5 2
6000 4000 2000 0 0
da
t2
4.2
V
C
at ent urr
24.
2V
1.5 1 0.5
10
20 30 Torque (mN·m |
Это результат поиска, начинающийся с "28N", "M28" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
17HD2028N | ETC |
Hybrid Stepper Motors HYBRID STEPPING MOTORS
ƶ0.39in. ƶ1.10in. ƶ1.38in. ƶ1.53in. ƶ1.65in. ƶ2.22in. 2.25in. ƶ2.36in. ƶ3.35in. 3.39in. (ƶ10mm) (ƶ28mm) (ƶ35mm) (ƶ39mm) (ƶ42mm) (ƶ56.4mm) (57.2mm) (ƶ60mm) (ƶ85mm) (86mm)
17HDN SERIES 1.8°
Key Features
I High Torque I High Accuracy |
|
17HD4028N | ETC |
Hybrid Stepper Motors HYBRID STEPPING MOTORS
ƶ0.39in. ƶ1.10in. ƶ1.38in. ƶ1.53in. ƶ1.65in. ƶ2.22in. 2.25in. ƶ2.36in. ƶ3.35in. 3.39in. (ƶ10mm) (ƶ28mm) (ƶ35mm) (ƶ39mm) (ƶ42mm) (ƶ56.4mm) (57.2mm) (ƶ60mm) (ƶ85mm) (86mm)
17HDN SERIES 1.8°
Key Features
I High Torque I High Accuracy |
|
28N15 | Fairchild Semiconductor |
FQA28N15 FQA28N15 — N-Channel QFET® MOSFET
FQA28N15
N-Channel QFET® MOSFET
150 V, 33 A, 90 mΩ
June 2014
Description
Features
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is • 33 A, 150 V, RDS(on) = 90 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,
produced using Fairchild Semiconductor’s propr |
|
28N50F | Fairchild Semiconductor |
FDA28N50F FDA28N50F N-Channel MOSFET
January 2012
FDA28N50F
N-Channel MOSFET
500V, 28A, 0.175Ω Features
• RDS(on) = 0.140Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A • Low Gate Charge ( Typ. 80nC) • Low Crss ( Typ. 38pF) • Fast Switching • 100% Avalanche Tested • Improved dv/dt Capabilit |
|
28N50H | KIA |
N-CHANNEL MOSFET KIA 28A,500V N-CHANNEL MOSFET
SEMICONDUCTORS
15507595280 QQ 2880195519
1.Description
28N50H
This Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior |
|
AA028N1-00 | Alpha Industries |
24-30 GHz GaAs MMIC Low Noise Amplifier 24–30 GHz GaAs MMIC Low Noise Amplifier
AA028N1-00 Features
s Single Bias Supply Operation (4.5 V) s 3.0 dB Typical Noise Figure at 28 GHz
1.250
Chip Outline
1.084 1.605 1.829 2.091 2.245
s 17 dB Typical Small Signal Gain s 0.25 µm Ti/Pd/Au Gates s 100% On-Wafer RF, DC and N |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |