|
M28W160ECT даташитФункция этой детали – «16 Mbit 3v Supply Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M28W160ECT | Numonyx |
16 Mbit 3V Supply Flash Memory M28W160ECT M28W160ECB
16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 2.7V to 3.6V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional)
■ ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns ■ PROGRAMMING TIME:
– 10µs typical – Double Word Programming Option ■ COMMON FLASH INTERFACE – 64 bit Security Code ■ MEMORY BLOCKS – Parameter Blocks (Top or Bottom
location) – Main Blocks ■ BLOCK LOCKING – All blocks locked at Power |
Это результат поиска, начинающийся с "28W160ECT", "M28W160" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AF-128160A | ETC |
LCD_Module AF-128160A
FEATURE
1.Construction : LCD panel, Blue-green EL backlight and COF tech nology. 2.Display type : FSTN, Transflective, Positive , 6 oclock view . 3.Controller : UL TRACHIP UC161 1 4.Interface for 8080 or 6800 series family MPU, select by BM0, BM1 setting. 5.Extend temp |
|
AR-128160B | ETC |
LCD_Module AR-128160B
FEATURE
128(RGB)x160 dots
1/160 Duty
BLOCK DIAGRAM
Block diagram (Main LCD) Display format:Color-STN transmissive, negative type, 6 oclock. Display composition:128 x RGB x 143 dots Back light:White LED x 3
This dual-display module is suitable for cellphone applicat |
|
HYB18L128160BC-75 | Infineon Technologies AG |
Specialty DRAMs Mobile-RAM Infineon Specialty DRAMs
Mobile-RAM
w w w. i n f i n e o n . c o m / m e m o r y / Mo b i l e - R A M
Never stop thinking.
Mobile-RAM – Extended Battery Lifetime for Handhelds
A S O N E O F T H E W O R L D ’ S T O P T H R E E memory companies, Infineon offers a wide portfo |
|
HYB18L128160BC-75 | Infineon Technologies AG |
DRAMs for Mobile Applications Infineon Specialty DRAMs
Mobile-RAM
w w w. i n f i n e o n . c o m / m e m o r y / Mo b i l e - R A M
Never stop thinking.
Mobile-RAM – Extended Battery Lifetime for Handhelds
A S O N E O F T H E W O R L D ’ S T O P T H R E E memory companies, Infineon offers a wide portfo |
|
HYB18L128160BF | Infineon Technologies AG |
DRAMs for Mobile Applications D a t a S h e e t , V 1 . 4 , A p r i l 2 00 4
HYB18L128160BF-7.5 HYE18L128160BF-7.5 HYB18L128160BC-7.5 HYE18L128160BC-7.5
D R A M s fo r M o b i l e A p p l i c a ti o n s 128-Mbit Mobile-RAM
M e m or y P r o du c t s
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .
Edition 2004-04-30 |
|
HYB18L128160BF-75 | Infineon Technologies AG |
Specialty DRAMs Mobile-RAM Infineon Specialty DRAMs
Mobile-RAM
w w w. i n f i n e o n . c o m / m e m o r y / Mo b i l e - R A M
Never stop thinking.
Mobile-RAM – Extended Battery Lifetime for Handhelds
A S O N E O F T H E W O R L D ’ S T O P T H R E E memory companies, Infineon offers a wide portfo |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |