DataSheet26.com


M28W800CB даташит

Функция этой детали – «8 Mbit 3v Supply Flash Memory».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M28W800CB STMicroelectronics
STMicroelectronics
  8 Mbit 3V Supply Flash Memory

M28W800CT M28W800CB 8 Mbit (512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE – VDD = 2.7V to 3.6V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional) s ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns s PROGRAMMING TIME: – 10µs typical – Double Word Programming Option s COMMON FLASH INTERFACE – 64 bit Security Code s MEMORY BLOCKS – Parameter Blocks (Top or Bottom location) – Main Blocks s BLOCK LOCKING – All blocks locked at Power Up – Any c
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "28W800CB", "M28W80"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
HYB25D128800A Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

128 Mbit Double Data Rate SDRAM

Data Sheet, Rev. 1.06, Jan. 2003 HYB25D128400AT(L)-[6/7/8] HYB25D128800AT(L)-[6/7/8] HYB25D128160AT(L)-[6/7/8] 128 Mbit Double Data Rate SDRAM DDR SDRAM Memory Products N e v e r s t o p t h i n k i n g . Edition 2004-01 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Str
pdf
HYB25D128800CE-6 Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

128 Mbit Double Data Rate SDRAM

D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4 HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L) 128 Mbit Double Data Rate SDRAM Memory Products N e v e r s t o p t h i n k i n g . Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi
pdf
HYB25D128800CEL-6 Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

128 Mbit Double Data Rate SDRAM

D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4 HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L) 128 Mbit Double Data Rate SDRAM Memory Products N e v e r s t o p t h i n k i n g . Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi
pdf
HYB25D128800CT Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

MEMORY SPECTRUM

Product Information 2004 MEMORY SPECTRUM w w w. i n f i n e o n . c o m / m e m o r y w w w. i n f i n e o n . c o m / m e m o r y / f l a s h Never stop thinking. Introduction A P R I L 2 0 0 4 . This edition of Memory Spectrum has been developed to enable you to easily view
pdf
HYB25D128800CT-6 Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

128 Mbit Double Data Rate SDRAM

D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4 HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L) 128 Mbit Double Data Rate SDRAM Memory Products N e v e r s t o p t h i n k i n g . Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi
pdf
HYB25D128800CTL-6 Infineon Technologies AG
Infineon Technologies AG

128 Mbit Double Data Rate SDRAM

D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4 HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L) 128 Mbit Double Data Rate SDRAM Memory Products N e v e r s t o p t h i n k i n g . Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты