|
M28W800CT даташитФункция этой детали – «8 Mbit 3v Supply Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M28W800CT | STMicroelectronics |
8 Mbit 3V Supply Flash Memory M28W800CT M28W800CB
8 Mbit (512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY s SUPPLY VOLTAGE
– VDD = 2.7V to 3.6V Core Power Supply – VDDQ= 1.65V to 3.6V for Input/Output – VPP = 12V for fast Program (optional) s ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns s PROGRAMMING TIME: – 10µs typical – Double Word Programming Option s COMMON FLASH INTERFACE – 64 bit Security Code s MEMORY BLOCKS – Parameter Blocks (Top or Bottom location) – Main Blocks s BLOCK LOCKING – All blocks locked at Power Up – Any c |
Это результат поиска, начинающийся с "28W800CT", "M28W80" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HYB25D128800A | Infineon Technologies AG |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM Data Sheet, Rev. 1.06, Jan. 2003
HYB25D128400AT(L)-[6/7/8] HYB25D128800AT(L)-[6/7/8] HYB25D128160AT(L)-[6/7/8]
128 Mbit Double Data Rate SDRAM DDR SDRAM
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .
Edition 2004-01 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Str |
|
HYB25D128800CE-6 | Infineon Technologies AG |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4
HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)
128 Mbit Double Data Rate SDRAM
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .
Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi |
|
HYB25D128800CEL-6 | Infineon Technologies AG |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4
HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)
128 Mbit Double Data Rate SDRAM
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .
Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi |
|
HYB25D128800CT | Infineon Technologies AG |
MEMORY SPECTRUM Product Information 2004
MEMORY SPECTRUM
w w w. i n f i n e o n . c o m / m e m o r y w w w. i n f i n e o n . c o m / m e m o r y / f l a s h
Never stop thinking.
Introduction
A P R I L 2 0 0 4 . This edition of Memory Spectrum has been developed to enable you to easily view |
|
HYB25D128800CT-6 | Infineon Technologies AG |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4
HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)
128 Mbit Double Data Rate SDRAM
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .
Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi |
|
HYB25D128800CTL-6 | Infineon Technologies AG |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM D a t a S h e e t , Rev. 1.0, A p r . 2 0 0 4
HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)
128 Mbit Double Data Rate SDRAM
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .
Edition 2004-04 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany © Infi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |