DataSheet26.com


M295V100BB даташит

Функция этой детали – «1 Mbit 128kb X8 Or 64kb X16 /».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M295V100BB ST Microelectronics
ST Microelectronics
  1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F100BT M29F100BB 1 Mbit (128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory PRELIMINARY DATA s SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 45ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 5 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top or Bottom Location) – 2 Parameter and 2 Main Blocks 1 44 s s s s PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte/Word Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm – Status Register Polling and Toggle Bits – Ready/Busy O
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "295V100BB", "M295V10"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M295V100B ST Microelectronics
ST Microelectronics

1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F100T M29F100B 1 Mbit (128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS FAST ACCESS TIME: 70ns FAST PROGRAMMING TIME – 10µs by Byte / 16µs by Word typical PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.) – Prog
pdf
M295V100BT ST Microelectronics
ST Microelectronics

1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F100BT M29F100BB 1 Mbit (128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory PRELIMINARY DATA s SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 45ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 5 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (To
pdf
M295V100T ST Microelectronics
ST Microelectronics

1 Mbit 128Kb x8 or 64Kb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F100T M29F100B 1 Mbit (128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS FAST ACCESS TIME: 70ns FAST PROGRAMMING TIME – 10µs by Byte / 16µs by Word typical PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.) – Prog
pdf
M295V102BB ST Microelectronics
ST Microelectronics

1 Mbit 64Kb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F102BB 1 Mbit (64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 35ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Word typical
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты