|
M295V160BT55N1T даташитФункция этой детали – «16 Mbit 2mb X8 Or 1mb X16 /». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M295V160BT55N1T | ST Microelectronics |
16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory M29F160BT M29F160BB
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory
PRELIMINARY DATA
s
SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 55ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 35 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top or Bottom Location) – 2 Parameter and 32 Main Blocks
s s
s
s
PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte/Word Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm – Status Register Polling and Toggle Bits – Ready/Busy Output |
Это результат поиска, начинающийся с "295V160BT55N1T", "M295V160BT55" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M295V160BT55N3T | ST Microelectronics |
16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory M29F160BT M29F160BB
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory
PRELIMINARY DATA
s
SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 55ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 35 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top |
|
M295V160BT55N6T | ST Microelectronics |
16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory M29F160BT M29F160BB
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory
PRELIMINARY DATA
s
SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 55ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 35 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |