DataSheet26.com


M295V160BT70N3T даташит

Функция этой детали – «16 Mbit 2mb X8 Or 1mb X16 /».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M295V160BT70N3T ST Microelectronics
ST Microelectronics
  16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F160BT M29F160BB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory PRELIMINARY DATA s SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 55ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 35 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top or Bottom Location) – 2 Parameter and 32 Main Blocks s s s s PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte/Word Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm – Status Register Polling and Toggle Bits – Ready/Busy Output
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "295V160BT70N3T", "M295V160BT70"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M295V160BT70N1T ST Microelectronics
ST Microelectronics

16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F160BT M29F160BB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory PRELIMINARY DATA s SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 55ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 35 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top
pdf
M295V160BT70N6T ST Microelectronics
ST Microelectronics

16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 / Boot Block Single Supply Flash Memory

M29F160BT M29F160BB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory PRELIMINARY DATA s SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ACCESS TIME: 55ns PROGRAMMING TIME – 8µs per Byte/Word typical 35 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты