|
M29W640GH даташитФункция этой детали – «Parallel Nor Flash Embedded Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M29W640GH | STMicroelectronics |
64 Mbit 3V supply Flash memory M29W640GH, M29W640GL M29W640GT, M29W640GB
64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory
Feature summary
■ Supply Voltage – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase, Read – VPP =12V for Fast Program (optional)
■ Asynchronous Random/Page Read – Page Width: 4 Words – Page Access: 25ns – Random Access: 60ns, 70ns
■ Fast Program commands – 2 Words/4 Bytes Program (without VPP=12V) – 4 Words/8 Bytes Program (with VPP=12V) – 16 Word/32 Byte Write Buffer
■ Programming time – 10 µs per Byte/Wo |
|
M29W640GH | Numonyx |
64-Mbit 3V supply flash memory M29W640GH M29W640GL M29W640GT M29W640GB
64-Mbit (8 Mbit x8 or 4 Mbit x16, uniform block or boot block) 3 V supply flash memory
Feature
Supply voltage – VCC = 2.7 to 3.6 V for program/erase/read – VPP =12 V for fast program (optional)
Asynchronous random/page read – Page width: 4 words – Page access: 25 ns – Random access: 60 ns, 70 ns, 90 ns
Fast program commands – 2-word/4-byte program (without VPP=12 V) – 4-word/8-byte program (with VPP=12 V) – 16-word/32-byte write buffer
Programming time |
|
M29W640GH | Micron |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 64Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash Features
Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29W640GH, M29W640GL M29W640GT, M29W640GB
Features
• Supply voltage – VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read) – VPP = 12V for fast program (optional)
• Asynchronous random/page read – Page width: 4 words – Page access: 25ns – Random access: 60ns, 70ns, 90ns
• Fast program commands – 2-word/4-byte program (without VPP = 12V) – 4-word/8-byte program (with VPP = 12V) – 16-word/32-byte write buffer
• Programming time � |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |