DataSheet26.com


M29W640GT даташит

Функция этой детали – «Parallel Nor Flash Embedded Memory».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M29W640GT STMicroelectronics
STMicroelectronics
  64 Mbit 3V supply Flash memory

M29W640GH, M29W640GL M29W640GT, M29W640GB 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory Feature summary ■ Supply Voltage – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase, Read – VPP =12V for Fast Program (optional) ■ Asynchronous Random/Page Read – Page Width: 4 Words – Page Access: 25ns – Random Access: 60ns, 70ns ■ Fast Program commands – 2 Words/4 Bytes Program (without VPP=12V) – 4 Words/8 Bytes Program (with VPP=12V) – 16 Word/32 Byte Write Buffer ■ Programming time – 10 µs per Byte/Wo
pdf
M29W640GT Numonyx
Numonyx
  64-Mbit 3V supply flash memory

M29W640GH M29W640GL M29W640GT M29W640GB 64-Mbit (8 Mbit x8 or 4 Mbit x16, uniform block or boot block) 3 V supply flash memory Feature „ Supply voltage – VCC = 2.7 to 3.6 V for program/erase/read – VPP =12 V for fast program (optional) „ Asynchronous random/page read – Page width: 4 words – Page access: 25 ns – Random access: 60 ns, 70 ns, 90 ns „ Fast program commands – 2-word/4-byte program (without VPP=12 V) – 4-word/8-byte program (with VPP=12 V) – 16-word/32-byte write buffer „ Programming time
pdf
M29W640GT Micron
Micron
  Parallel NOR Flash Embedded Memory

64Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash Features Parallel NOR Flash Embedded Memory M29W640GH, M29W640GL M29W640GT, M29W640GB Features • Supply voltage – VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read) – VPP = 12V for fast program (optional) • Asynchronous random/page read – Page width: 4 words – Page access: 25ns – Random access: 60ns, 70ns, 90ns • Fast program commands – 2-word/4-byte program (without VPP = 12V) – 4-word/8-byte program (with VPP = 12V) – 16-word/32-byte write buffer • Programming time �
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты