|
M2S12D30TP-75L даташитФункция этой детали – «512m Double Data Rate Synchronous Dram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M2S12D30TP-75L | Mitsubishi |
512M Double Data Rate Synchronous DRAM DDR SDRAM (Rev.1.1) Feb.ELECTRIC '02
MITSUBISHI
MITSUBISHI LSIs
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
DESCRIPTION
M2S12D20TP is a 4-bank x 33,554,432-word x 4-bit, M2S12D30TP is a 4-bank x 16,777,216-word x 8-bit, double data rate synchronous DRAM, with SSTL_2 interface. All control and address signals are referenced to the rising edge of CLK. Input data is registered on both edges of data strobes, and output data and data strobe are referenced on both edges of CLK. The M2S12D20/3 |
Это результат поиска, начинающийся с "2S12D30TP", "M2S12D30TP-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M2S12D30TP | Mitsubishi |
512M Double Data Rate Synchronous DRAM DDR SDRAM (Rev.1.1) Feb.ELECTRIC '02
MITSUBISHI
MITSUBISHI LSIs
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
DESCRIPTION
M2S12D20TP is a 4-bank x 33,554,432-word x 4-bit, M2S12D30TP is a 4-bank x 16,777,216-word x 8-bit, double data rate synchrono |
|
M2S12D30TP-10 | Mitsubishi |
512M Double Data Rate Synchronous DRAM DDR SDRAM (Rev.1.1) Feb.ELECTRIC '02
MITSUBISHI
MITSUBISHI LSIs
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
DESCRIPTION
M2S12D20TP is a 4-bank x 33,554,432-word x 4-bit, M2S12D30TP is a 4-bank x 16,777,216-word x 8-bit, double data rate synchrono |
|
M2S12D30TP-10L | Mitsubishi |
512M Double Data Rate Synchronous DRAM DDR SDRAM (Rev.1.1) Feb.ELECTRIC '02
MITSUBISHI
MITSUBISHI LSIs
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
DESCRIPTION
M2S12D20TP is a 4-bank x 33,554,432-word x 4-bit, M2S12D30TP is a 4-bank x 16,777,216-word x 8-bit, double data rate synchrono |
|
M2S12D30TP-75 | Mitsubishi |
512M Double Data Rate Synchronous DRAM DDR SDRAM (Rev.1.1) Feb.ELECTRIC '02
MITSUBISHI
MITSUBISHI LSIs
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
DESCRIPTION
M2S12D20TP is a 4-bank x 33,554,432-word x 4-bit, M2S12D30TP is a 4-bank x 16,777,216-word x 8-bit, double data rate synchrono |
|
KS621230A7 | Powerex Power Semiconductors |
Single Darlington Transistor Module w
w
w
.D
t a
S a
e h
U 4 t e
m o .c
w
w
w
.D
at
h S a
t e e
4U
.
m o c
|
|
R6221230 | Powerex Power Semiconductors |
Fast Recovery Rectifier (300 Amperes Average 1600 Volts) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |