DataSheet26.com


M2S4G64CB8HB5N даташит

Функция этой детали – «Unbuffered Ddr3 So-dimm».



Показать результаты поиска

scroll
[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M2S4G64CB8HB5N Nanya
Nanya
  Unbuffered DDR3 SO-DIMM

M2S1G64CBH4B5P / M2S2G64CB88B5N / M2S4G64CB8HB5N 1GB: 128M x 64 / 2GB: 256M x 64 / 4GB: 512M x 64 PC3-8500 / PC3-10600 / PC3-12800 Unbuffered DDR3 SO-DIMM Based on DDR3-1066/1333/1600 128Mx16 (1GB) / 256Mx8 (2GB) / 256Mx8 (4GB) SDRAM B-Die Features •Performance: Speed Sort DIMM CAS Latency fck – Clock Frequency tck – Clock Cycle fDQ – DQ Burst Frequency PC3-8500 -BE 7 533 1.875 1066 PC3-10600 -CG 9 667 1.5 1333 PC3-12800 -DI 11 800 1.25 1600 MHz ns Mbps • Programmable Operation: - DIMM  Latency: 5, 6
pdf
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты