|
M2V56D30AKT-75A даташитФункция этой детали – «256m Double Data Rate Synchronous Dram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M2V56D30AKT-75A | Mitsubishi |
256M Double Data Rate Synchronous DRAM DDR SDRAM (Rev.1.44) Mar. '02
MITSUBISHI LSIs
M2S56D20/ 30/ 40ATP -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10 M2S56D20/ 30/ 40AKT -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
256M Double Data Rate Synchronous DRAM Contents are subject to change without notice.
DESCRIPTION
M2S56D20ATP / AKT is a 4-bank x 16777216-word x 4-bit, M2S56D30ATP / AKT is a 4-bank x 8388608-word x 8-bit, M2S56D40ATP/ AKT is a 4-bank x 4194304-word x 16-bit, double data rate synchronous DRAM, with SSTL_2 interface. All control and address signals are referenced to |
|
M2V56D30AKT-75AL | Mitsubishi |
256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |