|
M2V64S30DTP-7 даташитФункция этой детали – «64m Synchronous Dram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M2V64S30DTP-7 | Mitsubishi |
64M Synchronous DRAM MITSUBISHI LSIs SDRAM (Rev.3.2) Feb.'00
M2V64S20DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L M2V64S30DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L M2V64S40DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
(4-BANK x 4,194,304-WORD x (4-BANK x 2,097,152-WORD x
4-BIT) 8-BIT)
(4-BANK x 1,048,576-WORD x 16-BIT)
64M Synchronous DRAM
PRELIMINARY
Some of contents are described for general products and are subject to change w ithout notice.
DESCRIPTION
M 2V64S20DTP is a 4-bank x 4,194,304-word x 4-bit, M 2V64S30DTP is a 4-bank x 2,097,152-word x 8-bit, M 2V64S40DTP is a 4-bank x 1,048,576 |
|
M2V64S30DTP-7L | Mitsubishi |
64M Synchronous DRAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |