|
M3000 даташитФункция этой детали – «Pir Infrared Remote Control Circuit». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M3000 | Unisonic Technologies |
PIR INFRARED REMOTE CONTROL CIRCUIT UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
M3000
Preliminary
LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
PIR INFRARED REMOTE CONTROL CIRCUIT
DESCRIPTION
The M3000 is a passive infra-red controller using analog mixing digital design technique and is manufactured by CMOS process.
The M3000 needs only few external components in application circuit. It can be applied in controller of light, electric switching, burglar alarm, and so on.
FEATURES
* Low Power CMOS Technology * CMOS High Input Impedance Operational Amplifiers * Bi-Directional Lev |
Это результат поиска, начинающийся с "3000", "M3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3000 | America Semiconductor |
(1N3000 - 1N3015) 10W Zener Diodes Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
1N3000 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 62V 20% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N3000A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 62V 10% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N3000B | Digitron Semiconductors |
10 WATT ZENER DIODES 1N2970-1N3015B, 1N3993-1N4000A
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
10 WATT ZENER DIODES
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as n |
|
1N3000B | Microsemi Corporation |
10 WATT ZENER DIODES 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A
10 WATT ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION These high power 10 W Zener diodes represented by the JEDEC registered 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A series provide voltage regulation in a selection over a 3.9 V to 20 |
|
1N3000B | Naina Semiconductor |
(1N2970B - 1N3015B) 10 WATT ZENER DIODES |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |