DataSheet26.com


M30291FCTHP даташит

Функция этой детали – «Renesas Mcu M16c Family / M16c/tiny Series».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M30291FCTHP Renesas Technology
Renesas Technology
  RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES

REJ09B0101-0112 16 M16C/29 Group Hardware Manual RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES All information contained in these materials, including products and product specifications, represents information on the product at the time of publication and is subject to change by Renesas Technology Corp. without notice. Please review the latest information published by Renesas Technology Corp. through various means, including the Renesas Technology Corp. website (http://www.renesas.com). Rev. 1.12
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "30291FCTHP", "M30291FC"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
ASI30291 Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor

SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE

DKV6520-12 SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE DESCRIPTION: The ASI DKV6520-12 is an Silicon Hyperabrupt Varactor Diode Designed for VHF/UHF Filters and Oscillators Requiring Octave Tuning. FEATURES INCLUDE: • CT4 = 18 pF Min. • CT4/CT20 = 5.8 Typical • Hermetic Glass Pack
pdf
M30291 Renesas Technology
Renesas Technology

RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES

REJ09B0101-0112 16 M16C/29 Group Hardware Manual RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES All information contained in these materials, including products and product specifications, represents information on the product at the time of publication and i
pdf
RU30291R Ruichips
Ruichips

N-Channel Advanced Power MOSFET

RU30291R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features • 30V/290A, RDS (ON) =1.8mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =2.6mΩ(Typ.)@VGS=4.5V • Super High Dense Cell Design • Ultra Low On-Resistance • 100% avalanche tested • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты