|
M30291FCTHP даташитФункция этой детали – «Renesas Mcu M16c Family / M16c/tiny Series». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M30291FCTHP | Renesas Technology |
RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES REJ09B0101-0112
16
M16C/29 Group
Hardware Manual
RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES
All information contained in these materials, including products and product specifications, represents information on the product at the time of publication and is subject to change by Renesas Technology Corp. without notice. Please review the latest information published by Renesas Technology Corp. through various means, including the Renesas Technology Corp. website (http://www.renesas.com).
Rev. 1.12 |
Это результат поиска, начинающийся с "30291FCTHP", "M30291FC" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ASI30291 | Advanced Semiconductor |
SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE DKV6520-12
SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE
DESCRIPTION:
The ASI DKV6520-12 is an Silicon Hyperabrupt Varactor Diode Designed for VHF/UHF Filters and Oscillators Requiring Octave Tuning.
FEATURES INCLUDE:
• CT4 = 18 pF Min. • CT4/CT20 = 5.8 Typical • Hermetic Glass Pack |
|
M30291 | Renesas Technology |
RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES REJ09B0101-0112
16
M16C/29 Group
Hardware Manual
RENESAS MCU M16C FAMILY / M16C/Tiny SERIES
All information contained in these materials, including products and product specifications, represents information on the product at the time of publication and i |
|
RU30291R | Ruichips |
N-Channel Advanced Power MOSFET RU30291R
N-Channel Advanced Power MOSFET
MOSFET
Features
• 30V/290A, RDS (ON) =1.8mΩ(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =2.6mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
• Ultra Low On-Resistance
• 100% avalanche tested
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |