DataSheet26.com


M3035S даташит

Функция этой детали – «(m3035s / M3045s) Schottky Barrier Rectifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M3035S Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
  (M3035S / M3045S) Schottky Barrier Rectifier

www.DataSheet.co.kr New Product M3035S, M3045S Vishay General Semiconductor Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection TO-220AB • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 2 3 M3035S, M3045S PIN 1 1 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC accordance to WEEE 2002/96/EC and in • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition PIN 2 C
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3035S", "M30"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
DMP3035SFG Diodes
Diodes

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ADVANCE INFORMATION DMP3035SFG 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI® Product Summary V(BR)DSS -30V RDS(ON) max 20mΩ @ VGS = -10V 29mΩ @ VGS = -5V ID max TA = 25°C -9.5 A -8.5 A Description and Applications This MOSFET has been designed to minimize the on-stat
pdf
MB3035S Vishay
Vishay

Schottky Barrier Rectifier ( Diode )

www.vishay.com M(B,I)3035S, M(B,I)3045S Vishay General Semiconductor Schottky Barrier Rectifier TO-220AB TO-263AB K M30xxS 3 2 1 PIN 1 PIN 2 PIN 3 CASE TO-262AA K A NC MB30xxS NC K A HEATSINK MI30xxS PIN 1 3 2 1 PIN 2 PIN 3 K PRIMARY CHARACTERISTICS IF(AV) VRRM
pdf
MI3035S Vishay
Vishay

Schottky Barrier Rectifier ( Diode )

www.vishay.com M(B,I)3035S, M(B,I)3045S Vishay General Semiconductor Schottky Barrier Rectifier TO-220AB TO-263AB K M30xxS 3 2 1 PIN 1 PIN 2 PIN 3 CASE TO-262AA K A NC MB30xxS NC K A HEATSINK MI30xxS PIN 1 3 2 1 PIN 2 PIN 3 K PRIMARY CHARACTERISTICS IF(AV) VRRM
pdf
1N3035 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 43V 20% 1W 2-Pin DO-13

pdf
1N3035A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 43V 10% 1W 2-Pin DO-13

pdf
1N3035B Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon 1 WATT Zener Diodes

1N3016B thru 1N3051B 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES SCOTTSDALE DIVISION DESCRIPTION This well established zener diode series for the 1N3016 thru 1N3051 JEDEC registration in the metal case DO-13 package provides a glass hermetic seal for 6.8 to 200 volts. It is also well suited
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты