|
M3035S даташитФункция этой детали – «(m3035s / M3045s) Schottky Barrier Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M3035S | Vishay Siliconix |
(M3035S / M3045S) Schottky Barrier Rectifier www.DataSheet.co.kr
New Product
M3035S, M3045S
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
• Guardring for overvoltage protection
TO-220AB
• Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
2 3
M3035S, M3045S
PIN 1
1
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC accordance to WEEE 2002/96/EC
and
in
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
PIN 2 C |
Это результат поиска, начинающийся с "3035S", "M30" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
DMP3035SFG | Diodes |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET ADVANCE INFORMATION
DMP3035SFG
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI®
Product Summary
V(BR)DSS -30V
RDS(ON) max 20mΩ @ VGS = -10V 29mΩ @ VGS = -5V
ID max TA = 25°C
-9.5 A
-8.5 A
Description and Applications
This MOSFET has been designed to minimize the on-stat |
|
MB3035S | Vishay |
Schottky Barrier Rectifier ( Diode ) www.vishay.com
M(B,I)3035S, M(B,I)3045S
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
TO-220AB
TO-263AB K
M30xxS
3 2
1
PIN 1
PIN 2
PIN 3
CASE
TO-262AA K
A NC
MB30xxS
NC K A HEATSINK
MI30xxS
PIN 1
3 2 1
PIN 2
PIN 3
K
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV) VRRM |
|
MI3035S | Vishay |
Schottky Barrier Rectifier ( Diode ) www.vishay.com
M(B,I)3035S, M(B,I)3045S
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifier
TO-220AB
TO-263AB K
M30xxS
3 2
1
PIN 1
PIN 2
PIN 3
CASE
TO-262AA K
A NC
MB30xxS
NC K A HEATSINK
MI30xxS
PIN 1
3 2 1
PIN 2
PIN 3
K
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV) VRRM |
|
1N3035 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 43V 20% 1W 2-Pin DO-13 |
|
1N3035A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 43V 10% 1W 2-Pin DO-13 |
|
1N3035B | Microsemi Corporation |
Silicon 1 WATT Zener Diodes 1N3016B thru 1N3051B 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION This well established zener diode series for the 1N3016 thru 1N3051 JEDEC registration in the metal case DO-13 package provides a glass hermetic seal for 6.8 to 200 volts. It is also well suited |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |