DataSheet26.com


M30L0R7000T0 даташит

Функция этой детали – «128 Mbit (8mb X16 Multiple Bank Multi-level Burst)».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M30L0R7000T0 STMicroelectronics
STMicroelectronics
  128 Mbit (8Mb x16 Multiple Bank Multi-Level Burst) 1.8V Supply Flash Memory

M30L0R7000T0 M30L0R7000B0 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.7V to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 1.7V to 2.0V for I/O Buffers – VPP = 9V for fast program (12V tolerant) SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – Synchronous Burst Read mode: 54MHz – Asynchronous Page Read mode – Random Access: 85ns SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND PROGRAMMING TIME – 10µ
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "30L0R7000T0", "M30L0R700"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M30L0R7000B0 STMicroelectronics
STMicroelectronics

128 Mbit (8Mb x16 Multiple Bank Multi-Level Burst) 1.8V Supply Flash Memory

M30L0R7000T0 M30L0R7000B0 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.7V to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 1.7V to 2.0V
pdf
M30L0R7000xx ST Microelectronics
ST Microelectronics

128 Mbit (8Mb x16 / Multiple Bank / Multi-Level / Burst) / 1.8V Supply Flash Memory

M30L0R7000T0 M30L0R7000B0 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD = 1.7V to 2.0V for program, erase and read – VDDQ = 1.7V to 2.0V for I/O Buffers –
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты