|
M312L2828ET0 даташитФункция этой детали – «Ddr Sdram Registered Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M312L2828ET0 | Samsung |
DDR SDRAM Registered Module 256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
DDR SDRAM
DDR SDRAM Registered Module
184pin Registered Module based on 256Mb E-die (x4, x8) with 1,700 / 1,200mil Height & 72-bit ECC
Revision 1.4 January, 2004
Revision 1.4 February, 2004
256MB, 512MB, 1GB Registered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (April, 2003) - First release Revision 1.1 (July, 2003) - Delete speed B3 Revision 1.2 (August, 2003) - Corrected typo. Revision 1.3 (January, 2004) - Corrected typo in functional block diagram of 1GB DIMM Revision 1.4 (February, 20 |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |