DataSheet26.com


M366S0823DTS даташит

Функция этой детали – «Sdram Dimm».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S0823DTS Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
  SDRAM DIMM

SERIAL PRESENCE DETECT PC133 Unbuffered DIMM PC133 Single Sided Unbuffered SDRAM DIMM(168pin) SPD Specification REV. 1.3 March. 2000 REV. 1.3 March. 2000 SERIAL PRESENCE DETECT PC133 Unbuffered DIMM M366S0424DTS-C75(Intel SPD 1.2B ver. base) ¡Ü Organization : 4Mx64 ¡Ü Composition : 4Mx16 *4 ¡Ü Used component part # : K4S641632D-TC75 ¡Ü # of rows in module : 1 row ¡Ü # of banks in component : 4 banks ¡Ü Feature : 1,000mil height & double sided ¡Ü Refresh : 4K/64ms ¡Ü Contents ; Byte # Function Des
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "366S0823DTS", "M366S0823"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S0823CT0 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0823CT0 M366S0823CT0 SDRAM DIMM PC100 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0823CT0 is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0823
pdf
M366S0823CTF Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0823CTF M366S0823CTF SDRAM DIMM PC66 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0823CTF is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0823C
pdf
M366S0823CTL Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0823CTL M366S0823CTL SDRAM DIMM PC66 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0823CTL is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0823C
pdf
M366S0823CTS Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0823CTS M366S0823CTS SDRAM DIMM PC100 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0823CTS is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0823
pdf
M366S0823DTF Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0823DTF M366S0823DTF SDRAM DIMM PC66 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0823DTF is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0823D
pdf
M366S0823ETS Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0823ETS M366S0823ETS SDRAM DIMM PC133/PC100 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0823ETS is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M36
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты