DataSheet26.com


M366S0824ET0 даташит

Функция этой детали – «Sdram Dimm».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S0824ET0 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
  SDRAM DIMM

M366S0824ET0 M366S0824ET0 SDRAM DIMM PC100 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0824ET0 is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0824ET0 consists of eight CMOS 4M x 16 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy substrate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the pri
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "366S0824ET0", "M366S0824"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S0824CT0 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0824CT0 M366S0824CT0 SDRAM DIMM PC100 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0824CT0 is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S082
pdf
M366S0824CTL Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0824CTL M366S0824CTL SDRAM DIMM PC66 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0824CTL is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0824
pdf
M366S0824DT0 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

SDRAM DIMM

M366S0824DT0 M366S0824DT0 SDRAM DIMM PC100 Unbuffered DIMM 8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S0824DT0 is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S082
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты