|
M366S0824ET0 даташитФункция этой детали – «Sdram Dimm». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S0824ET0 | Samsung Semiconductor |
SDRAM DIMM M366S0824ET0
M366S0824ET0 SDRAM DIMM
PC100 Unbuffered DIMM
8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S0824ET0 is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0824ET0 consists of eight CMOS 4M x 16 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy substrate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the pri |
Это результат поиска, начинающийся с "366S0824ET0", "M366S0824" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S0824CT0 | Samsung Semiconductor |
SDRAM DIMM M366S0824CT0
M366S0824CT0 SDRAM DIMM
PC100 Unbuffered DIMM
8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S0824CT0 is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S082 |
|
M366S0824CTL | Samsung Semiconductor |
SDRAM DIMM M366S0824CTL
M366S0824CTL SDRAM DIMM
PC66 Unbuffered DIMM
8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S0824CTL is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S0824 |
|
M366S0824DT0 | Samsung Semiconductor |
SDRAM DIMM M366S0824DT0
M366S0824DT0 SDRAM DIMM
PC100 Unbuffered DIMM
8Mx64 SDRAM DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S0824DT0 is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S082 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |