|
M366S1623DT0 даташитФункция этой детали – «Pc100 Unbuffered Dimm». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1623DT0 | Samsung semiconductor |
PC100 Unbuffered DIMM
M366S1623DT0
M366S1623DT0 SDRAM DIMM
PC100 Unbuffered DIMM
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S1623DT0 is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S1623DT0 consists of sixteen CMOS 8M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy substrate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the |
Это результат поиска, начинающийся с "366S1623DT0", "M366S1623" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1623ET0 | Samsung semiconductor |
Synchronous DRAMs
M366S1623ET0
Revision History
Revision 0.0 (Dec, 2000)
• PC133 first published.
PC133 Unbuffered DIMM
REV. 0.0 Dec, 2000
M366S1623ET0
M366S1623ET0 SDRAM DIMM
PC133 Unbuffered DIMM
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |