DataSheet26.com


M366S1623ET0 даташит

Функция этой детали – «Synchronous Drams».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S1623ET0 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  Synchronous DRAMs

M366S1623ET0 Revision History Revision 0.0 (Dec, 2000) • PC133 first published. PC133 Unbuffered DIMM REV. 0.0 Dec, 2000 M366S1623ET0 M366S1623ET0 SDRAM DIMM PC133 Unbuffered DIMM 16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S1623ET0 is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S1623ET0 consists of sixteen CMOS 8M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "366S1623ET0", "M366S1623"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S1623DT0 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

PC100 Unbuffered DIMM

M366S1623DT0 M366S1623DT0 SDRAM DIMM PC100 Unbuffered DIMM 16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S1623DT0 is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты