|
M366S1623ET0 даташитФункция этой детали – «Synchronous Drams». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1623ET0 | Samsung semiconductor |
Synchronous DRAMs
M366S1623ET0
Revision History
Revision 0.0 (Dec, 2000)
• PC133 first published.
PC133 Unbuffered DIMM
REV. 0.0 Dec, 2000
M366S1623ET0
M366S1623ET0 SDRAM DIMM
PC133 Unbuffered DIMM
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S1623ET0 is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S1623ET0 consists of sixteen CMOS 8M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package |
Это результат поиска, начинающийся с "366S1623ET0", "M366S1623" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1623DT0 | Samsung semiconductor |
PC100 Unbuffered DIMM
M366S1623DT0
M366S1623DT0 SDRAM DIMM
PC100 Unbuffered DIMM
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S1623DT0 is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |