|
M366S1654ETS даташитФункция этой детали – «Sdram Unbuffered Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1654ETS | Samsung semiconductor |
SDRAM Unbuffered Module
128MB, 256MB, 512MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.4 May 2004
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
Rev. 1.4 May 2004
128MB, 256MB, 512MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (June, 2003) - First release Revision 1.1 (September, 2003) - Corrected Typo Revision 1.2 (February, 2004) - Corrected typo. Revision 1.3 (March. 2004) - Modified DC |
Это результат поиска, начинающийся с "366S1654ETS", "M366S1654" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1654CTS | Samsung semiconductor |
PC133/PC100 Unbuffered DIMM
M366S1654CTS
M366S1654CTS SDRAM DIMM
PC133/PC100 Unbuffered DIMM
16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S1654CTS is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |