DataSheet26.com


M366S1654ETS даташит

Функция этой детали – «Sdram Unbuffered Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S1654ETS Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  SDRAM Unbuffered Module

128MB, 256MB, 512MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.4 May 2004 * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. Rev. 1.4 May 2004 128MB, 256MB, 512MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (June, 2003) - First release Revision 1.1 (September, 2003) - Corrected Typo Revision 1.2 (February, 2004) - Corrected typo. Revision 1.3 (March. 2004) - Modified DC
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "366S1654ETS", "M366S1654"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S1654CTS Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

PC133/PC100 Unbuffered DIMM

M366S1654CTS M366S1654CTS SDRAM DIMM PC133/PC100 Unbuffered DIMM 16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S1654CTS is a 8M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты