|
M366S1723DTS даташитФункция этой детали – «Pc133/pc100 Unbuffered Dimm». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1723DTS | Samsung |
PC133/PC100 Unbuffered DIMM M366S1723DTS
M366S1723DTS SDRAM DIMM
PC133/PC100 Unbuffered DIMM
16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M366S1723DTS is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S1723DTS consists of eight CMOS 16M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy substrate. One 0.1uF and one 0.22 uF decoupling capacitors are mounted on the |
Это результат поиска, начинающийся с "366S1723DTS", "M366S1723" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S1723ETS-C7A | Samsung semiconductor |
(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 February. 2004
Rev. 1.3 February 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (November., 2002) - First |
|
M366S1723ETU-C7A | Samsung semiconductor |
(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 February. 2004
Rev. 1.3 February 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (November., 2002) - First |
|
M366S1723FTS-C7A | Samsung |
SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 May 2004
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
Rev. 1.3 May 2004
64MB, 12 |
|
M366S1723FTU-C7A | Samsung |
SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 May 2004
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
Rev. 1.3 May 2004
64MB, 12 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |