DataSheet26.com


M366S1723DTS даташит

Функция этой детали – «Pc133/pc100 Unbuffered Dimm».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S1723DTS Samsung
Samsung
  PC133/PC100 Unbuffered DIMM

M366S1723DTS M366S1723DTS SDRAM DIMM PC133/PC100 Unbuffered DIMM 16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD GENERAL DESCRIPTION The Samsung M366S1723DTS is a 16M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M366S1723DTS consists of eight CMOS 16M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy substrate. One 0.1uF and one 0.22 uF decoupling capacitors are mounted on the
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "366S1723DTS", "M366S1723"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S1723ETS-C7A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 February. 2004 Rev. 1.3 February 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (November., 2002) - First
pdf
M366S1723ETU-C7A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 February. 2004 Rev. 1.3 February 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (November., 2002) - First
pdf
M366S1723FTS-C7A Samsung
Samsung

SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 May 2004 * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. Rev. 1.3 May 2004 64MB, 12
pdf
M366S1723FTU-C7A Samsung
Samsung

SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 May 2004 * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. Rev. 1.3 May 2004 64MB, 12
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты