DataSheet26.com


M366S3323ETS-C7A даташит

Функция этой детали – «(m3xxsxxxxetx-c7a) Sdram Unbuffered Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S3323ETS-C7A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  (M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 February. 2004 Rev. 1.3 February 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (November., 2002) - First release Revision 1.1 (May, 2003) - Merged Spec. Revision 1.2 (June, 2003) - Correct Typo. Revision 1.3 (February, 2004) - Correct Typo. SDRAM Rev. 1.3 February 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM 168Pin Unbuffered DIMM based on 128Mb E-di
pdf
M366S3323ETS-C7A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
  (M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты