|
M366S3323ETS-C7A даташитФункция этой детали – «(m3xxsxxxxetx-c7a) Sdram Unbuffered Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S3323ETS-C7A | Samsung semiconductor |
(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 February. 2004
Rev. 1.3 February 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (November., 2002) - First release Revision 1.1 (May, 2003) - Merged Spec. Revision 1.2 (June, 2003) - Correct Typo. Revision 1.3 (February, 2004) - Correct Typo.
SDRAM
Rev. 1.3 February 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
168Pin Unbuffered DIMM based on 128Mb E-di |
|
M366S3323ETS-C7A | Samsung semiconductor |
(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |