|
M366S3323FT даташитФункция этой детали – «Sdram Unbuffered Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S3323FT | Samsung |
SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 May 2004
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
Rev. 1.3 May 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 0.0 (November, 2003) - First release Revision 1.0 (January, 2004) - Revision 1.0 spec release. Revision 1.1 (February, 2004) - Corrected typo. Revision 1.2 (March. 2004) - Modified DC Characte |
Это результат поиска, начинающийся с "366S3323FT", "M366S332" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M366S3323CT0-C1H | Samsung semiconductor |
PC100 Unbuffered DIMM SERIAL PRESENCE DETECT
PC100 Unbuffered DIMM
PC100 Unbuffered DIMM(168pin) SPD Specification(128Mb C-die base)
Rev. 0.1 Apr. 2000
Rev 0.1 Apr. 2000
SERIAL PRESENCE DETECT
M366S1724CT0-C1H/C1L
• Organization : 16Mx64 • Composition : 8Mx16 *8 • Used component part # : K4 |
|
M366S3323CT0-C1L | Samsung semiconductor |
PC100 Unbuffered DIMM SERIAL PRESENCE DETECT
PC100 Unbuffered DIMM
PC100 Unbuffered DIMM(168pin) SPD Specification(128Mb C-die base)
Rev. 0.1 Apr. 2000
Rev 0.1 Apr. 2000
SERIAL PRESENCE DETECT
M366S1724CT0-C1H/C1L
• Organization : 16Mx64 • Composition : 8Mx16 *8 • Used component part # : K4 |
|
M366S3323CT0-C75 | Samsung semiconductor |
PC133 Unbuffered DIMM M366S3323CT0
Revision History
Revision 0.0 (May, 2000)
• PC133 first published.
PC133 Unbuffered DIMM
Revision 0.1 (July, 2000)
• Added PC100@CL3 data on DC Characteristics, Operating AC Parameter, AC Characteristics.
m o c . u 4 t e e h s a t a .d w w w
REV. 0.1 July. 20 |
|
M366S3323ETS-C7A | Samsung semiconductor |
(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 February. 2004
Rev. 1.3 February 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (November., 2002) - First |
|
M366S3323ETS-C7A | Samsung semiconductor |
(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 February. 2004
Rev. 1.3 February 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (November., 2002) - First |
|
M366S3323ETU-C7A | Samsung semiconductor |
(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered Module
168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC
Revision 1.3 February. 2004
Rev. 1.3 February 2004
64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM
Revision History
Revision 1.0 (November., 2002) - First |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |