DataSheet26.com


M366S3323FT даташит

Функция этой детали – «Sdram Unbuffered Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S3323FT Samsung
Samsung
  SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb F-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 May 2004 * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice. Rev. 1.3 May 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 0.0 (November, 2003) - First release Revision 1.0 (January, 2004) - Revision 1.0 spec release. Revision 1.1 (February, 2004) - Corrected typo. Revision 1.2 (March. 2004) - Modified DC Characte
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "366S3323FT", "M366S332"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M366S3323CT0-C1H Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

PC100 Unbuffered DIMM

SERIAL PRESENCE DETECT PC100 Unbuffered DIMM PC100 Unbuffered DIMM(168pin) SPD Specification(128Mb C-die base) Rev. 0.1 Apr. 2000 Rev 0.1 Apr. 2000 SERIAL PRESENCE DETECT M366S1724CT0-C1H/C1L • Organization : 16Mx64 • Composition : 8Mx16 *8 • Used component part # : K4
pdf
M366S3323CT0-C1L Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

PC100 Unbuffered DIMM

SERIAL PRESENCE DETECT PC100 Unbuffered DIMM PC100 Unbuffered DIMM(168pin) SPD Specification(128Mb C-die base) Rev. 0.1 Apr. 2000 Rev 0.1 Apr. 2000 SERIAL PRESENCE DETECT M366S1724CT0-C1H/C1L • Organization : 16Mx64 • Composition : 8Mx16 *8 • Used component part # : K4
pdf
M366S3323CT0-C75 Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

PC133 Unbuffered DIMM

M366S3323CT0 Revision History Revision 0.0 (May, 2000) • PC133 first published. PC133 Unbuffered DIMM Revision 0.1 (July, 2000) • Added PC100@CL3 data on DC Characteristics, Operating AC Parameter, AC Characteristics. m o c . u 4 t e e h s a t a .d w w w REV. 0.1 July. 20
pdf
M366S3323ETS-C7A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 February. 2004 Rev. 1.3 February 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (November., 2002) - First
pdf
M366S3323ETS-C7A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 February. 2004 Rev. 1.3 February 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (November., 2002) - First
pdf
M366S3323ETU-C7A Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

(M3xxSxxxxETx-C7A) SDRAM Unbuffered Module

64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM SDRAM SDRAM Unbuffered Module 168pin Unbuffered Module based on 128Mb E-die 62/72-bit Non ECC/ECC Revision 1.3 February. 2004 Rev. 1.3 February 2004 64MB, 128MB, 256MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (November., 2002) - First
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты