DataSheet26.com


M368L6423ETN-CLB3 даташит

Функция этой детали – «Ddr Sdram Unbuffered Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M368L6423ETN-CLB3 Samsung
Samsung
  DDR SDRAM Unbuffered Module

256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die with 64/72-bit ECC/Non ECC Revision 1.1 August. 2003 Rev. 1.1 August. 2003 256MB, 512MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (April, 2003) - First release Revision 1.1 (August, 2003) - Corrected typo. DDR SDRAM Rev. 1.1 August. 2003 256MB, 512MB Unbuffered DIMM 184Pin Unbuffered DIMM based on 256Mb E-die (x8,) Ordering Information Part Number M368L3223ETN-C(L)B3/AA/A2/B0 M381L3223ETM-C(L)B3/A
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "368L6423ETN", "M368L6423ETN-C"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M368L6423ETN-A2 Samsung
Samsung

DDR SDRAM Unbuffered Module

256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die with 64/72-bit ECC/Non ECC Revision 1.1 August. 2003 Rev. 1.1 August. 2003 256MB, 512MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (April, 2003) - First releas
pdf
M368L6423ETN-AA Samsung
Samsung

DDR SDRAM Unbuffered Module

256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die with 64/72-bit ECC/Non ECC Revision 1.1 August. 2003 Rev. 1.1 August. 2003 256MB, 512MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (April, 2003) - First releas
pdf
M368L6423ETN-B0 Samsung
Samsung

DDR SDRAM Unbuffered Module

256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die with 64/72-bit ECC/Non ECC Revision 1.1 August. 2003 Rev. 1.1 August. 2003 256MB, 512MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (April, 2003) - First releas
pdf
M368L6423ETN-CB3 Samsung
Samsung

DDR SDRAM Unbuffered Module

256MB, 512MB Unbuffered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die with 64/72-bit ECC/Non ECC Revision 1.1 August. 2003 Rev. 1.1 August. 2003 256MB, 512MB Unbuffered DIMM Revision History Revision 1.0 (April, 2003) - First releas
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты