|
M36D0R6040B0 даташитФункция этой детали – «64 Mbit Flash Memory And 16 Mbit Psram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36D0R6040B0 | STMicroelectronics |
64 Mbit Flash Memory and 16 Mbit PSRAM Multi-Chip Package
M36D0R6040T0 M36D0R6040B0
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
FEATURES SUMMARY
MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 16 Mbit (1Mb x 16) Pseudo SRAM ■ SUPPLY VOLTAGE – VDDF = VDDP = 1.7V to 1.95V ■ LOW POWER CONSUMPTION ■ ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code (Top Flash Configuration), M36D0R6040T0: 8810h – Device Code (Bottom Flash Configuration), M36D0R6040B0: 8 |
Это результат поиска, начинающийся с "36D0R6040B0", "M36D0R604" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36D0R6040T0 | STMicroelectronics |
64 Mbit Flash Memory and 16 Mbit PSRAM Multi-Chip Package
M36D0R6040T0 M36D0R6040B0
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
FEATURES SUMMARY
MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 16 Mbit (1Mb x 16) Pseudo SRAM ■ SUPP |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |