|
M36L0T8060T1 даташитФункция этой детали – «(m36l0t8060b1 / M36l0t8060t1) 256 Mbit Flash Memory And». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36L0T8060T1 | ST Microelectronics |
(M36L0T8060B1 / M36L0T8060T1) 256 Mbit Flash memory and 64 Mbit PSRAM
M36L0T8060T1 M36L0T8060B1
256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory and 64 Mbit PSRAM, 1.8 V core, 3 V I/O supply, multichip package
Features
Multichip package
■
1 die of 256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 1 die of 64 Mbit (4 Mb ×16) Pseudo SRAM Supply voltage – VDDF = 1.7 V to 1.95 V – VDDQF = VCCP = 2.7 V to 3.1 V – VPPF = 9 V for fast program Electronic signature – Manufacturer code: 20h – Top device code M36L0T8060T1: 880 |
Это результат поиска, начинающийся с "36L0T8060T1", "M36L0T806" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36L0T8060B1 | ST Microelectronics |
(M36L0T8060B1 / M36L0T8060T1) 256 Mbit Flash memory and 64 Mbit PSRAM
M36L0T8060T1 M36L0T8060B1
256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory and 64 Mbit PSRAM, 1.8 V core, 3 V I/O supply, multichip package
Features
Multichip package
■
1 die of 256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Fl |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |