DataSheet26.com


M36L0T8060T1 даташит

Функция этой детали – «(m36l0t8060b1 / M36l0t8060t1) 256 Mbit Flash Memory And».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M36L0T8060T1 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  (M36L0T8060B1 / M36L0T8060T1) 256 Mbit Flash memory and 64 Mbit PSRAM

M36L0T8060T1 M36L0T8060B1 256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory and 64 Mbit PSRAM, 1.8 V core, 3 V I/O supply, multichip package Features Multichip package ■ 1 die of 256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 1 die of 64 Mbit (4 Mb ×16) Pseudo SRAM Supply voltage – VDDF = 1.7 V to 1.95 V – VDDQF = VCCP = 2.7 V to 3.1 V – VPPF = 9 V for fast program Electronic signature – Manufacturer code: 20h – Top device code M36L0T8060T1: 880
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "36L0T8060T1", "M36L0T806"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M36L0T8060B1 ST Microelectronics
ST Microelectronics

(M36L0T8060B1 / M36L0T8060T1) 256 Mbit Flash memory and 64 Mbit PSRAM

M36L0T8060T1 M36L0T8060B1 256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory and 64 Mbit PSRAM, 1.8 V core, 3 V I/O supply, multichip package Features Multichip package ■ 1 die of 256 Mbit (16 Mb ×16, multiple bank, multilevel, burst) Fl
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты