|
M36P0R8070E0 даташитФункция этой детали – «256 Mbit Flash Memory 128 Mbit (burst) Psram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36P0R8070E0 | Numonyx |
256 Mbit Flash memory 128 Mbit (burst) PSRAM M36P0R8070E0
256 Mbit (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 128 Mbit (burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package
Features
■
Multichip package – 1 die of 256 Mbit (16 Mb x 16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory – 1 die of 128 Mbit (8 Mb x16) PSRAM Supply voltage – VDDF = VCCP = VDDQ = 1.7 to 1.95 V – VPPF = 9 V for fast program (12 V tolerant) Electronic signature – Manufacturer code: 20h – Device code: 8818 Package – ECOPACK® Synchronous/asynchronous read – Synchronous b |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |