|
M36P0R9060E0 даташитФункция этой детали – «512 Mbit Flash Memory 64 Mbit (burst) Psram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36P0R9060E0 | ST Microelectronics |
Multi-Chip Package
M36P0R9060E0
512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package
Feature summary
■
Multi-Chip Package – 1 die of 512 Mbit (32Mb x 16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory – 1 die of 64 Mbit (4Mb x16) PSRAM Supply voltage – VDDF = VCCP = VDDQ = 1.7 to 1.95V – VPPF = 9V for fast program Electronic signature – Manufacturer Code: 20h – Device Code: 8819 ECOPACK® package Synchronous / asynchronous read – Synchr |
|
M36P0R9060E0 | Numonyx |
512 Mbit Flash memory 64 Mbit (Burst) PSRAM M36P0R9060E0
512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V supply, Multi-Chip Package
Feature summary
■
Multi-Chip Package – 1 die of 512 Mbit (32Mb x 16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash memory – 1 die of 64 Mbit (4Mb x16) PSRAM Supply voltage – VDDF = VCCP = VDDQ = 1.7 to 1.95V – VPPF = 9V for fast program Electronic signature – Manufacturer Code: 20h – Device Code: 8819 ECOPACK® package Synchronous / asynchronous read – Synchronous Burst Read mode |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |