|
M36W0R6030T0 даташитФункция этой детали – «64 Mbit Flash Memory And 8 Mbit Sram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36W0R6030T0 | STMicroelectronics |
64 Mbit Flash Memory and 8 Mbit SRAM Multi-Chip Package
M36W0R6030T0 M36W0R6030B0
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multi-Chip Package
FEATURES SUMMARY
MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 8 Mbit SRAM ■ SUPPLY VOLTAGE – VDDF = VDDQ = VDDS = 1.7 to 1.95V ■ LOW POWER CONSUMPTION ■ ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code (Top Flash Configuration): 8810h – Device Code (Bottom Flash Configuration): 8811h ■ PACKAGE – Compliant with Lead |
Это результат поиска, начинающийся с "36W0R6030T0", "M36W0R603" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M36W0R6030B0 | STMicroelectronics |
64 Mbit Flash Memory and 8 Mbit SRAM Multi-Chip Package
M36W0R6030T0 M36W0R6030B0
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multi-Chip Package
FEATURES SUMMARY
MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 8 Mbit SRAM ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |