DataSheet26.com


M36W0R6030T0 даташит

Функция этой детали – «64 Mbit Flash Memory And 8 Mbit Sram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M36W0R6030T0 STMicroelectronics
STMicroelectronics
  64 Mbit Flash Memory and 8 Mbit SRAM Multi-Chip Package

M36W0R6030T0 M36W0R6030B0 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multi-Chip Package FEATURES SUMMARY MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 8 Mbit SRAM ■ SUPPLY VOLTAGE – VDDF = VDDQ = VDDS = 1.7 to 1.95V ■ LOW POWER CONSUMPTION ■ ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code (Top Flash Configuration): 8810h – Device Code (Bottom Flash Configuration): 8811h ■ PACKAGE – Compliant with Lead
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "36W0R6030T0", "M36W0R603"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M36W0R6030B0 STMicroelectronics
STMicroelectronics

64 Mbit Flash Memory and 8 Mbit SRAM Multi-Chip Package

M36W0R6030T0 M36W0R6030B0 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multi-Chip Package FEATURES SUMMARY MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 8 Mbit SRAM ■ SUPPLY VOLTAGE – VDD
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты