DataSheet26.com


M36W0R6040T0 даташит

Функция этой детали – «64 Mbit Flash Memory And 16 Mbit Psram».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M36W0R6040T0 STMicroelectronics
STMicroelectronics
  64 Mbit Flash Memory and 16 Mbit PSRAM Multi-Chip Package

M36W0R6040T0 M36W0R6040B0 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 16 Mbit (1Mb x 16) Pseudo SRAM SUPPLY VOLTAGE – VDDF = VDDP = VDDQ = 1.7V to 1.95V LOW POWER CONSUMPTION ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code (Top Flash Configuration), M36W0R6040T0: 8810h – Device Code (Bottom Flash Configurati
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "36W0R6040T0", "M36W0R604"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M36W0R6040B0 STMicroelectronics
STMicroelectronics

64 Mbit Flash Memory and 16 Mbit PSRAM Multi-Chip Package

M36W0R6040T0 M36W0R6040B0 64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Burst) Flash Memory and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package FEATURES SUMMARY ■ ■ ■ ■ ■ MULTI-CHIP PACKAGE – 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory – 1 die of 16 Mbit (1Mb x
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты