DataSheet26.com


M383L5628BT1-A2 даташит

Функция этой детали – «Ddr Sdram Registered Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M383L5628BT1-A2 Samsung
Samsung
  DDR SDRAM Registered Module

512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 512Mb B-die with 1,700 / 1,200mil Height & 72-bit ECC Revision 1.0 December. 2003 Revison 1.0 December, 2003 512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM Revision History Revision 0.0 (February, 2003) - First release Revision 0.1 (July, 2003) - Deleted speed B3 Revision 0.2 (August, 2003) - Corrected typo. Revision 1.0 (December, 2003) - IDD current revision. - Finalized DDR SDRAM Revison 1.0 December,
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "383L5628BT1", "M383L5628BT1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M383L5628BT1-CAA Samsung
Samsung

DDR SDRAM Registered Module

512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM DDR SDRAM DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II ) 184pin Registered Module based on 512Mb B-die with 1,700 / 1,200mil Height & 72-bit ECC Revision 1.0 December. 2003 Revison 1.0 December, 2003 512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM Revision
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты