|
M383L5628BT1-A2 даташитФункция этой детали – «Ddr Sdram Registered Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M383L5628BT1-A2 | Samsung |
DDR SDRAM Registered Module 512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM
DDR SDRAM
DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II )
184pin Registered Module based on 512Mb B-die with 1,700 / 1,200mil Height & 72-bit ECC
Revision 1.0 December. 2003
Revison 1.0 December, 2003
512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM
Revision History
Revision 0.0 (February, 2003) - First release Revision 0.1 (July, 2003) - Deleted speed B3 Revision 0.2 (August, 2003) - Corrected typo. Revision 1.0 (December, 2003) - IDD current revision. - Finalized
DDR SDRAM
Revison 1.0 December, |
Это результат поиска, начинающийся с "383L5628BT1", "M383L5628BT1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M383L5628BT1-CAA | Samsung |
DDR SDRAM Registered Module 512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM
DDR SDRAM
DDR SDRAM Registered Module ( TSOP-II )
184pin Registered Module based on 512Mb B-die with 1,700 / 1,200mil Height & 72-bit ECC
Revision 1.0 December. 2003
Revison 1.0 December, 2003
512MB, 1GB, 2GB TSOP Registered DIMM
Revision |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |