|
M38C37EBMXXXFP даташитФункция этой детали – «Single-chip 8-bit Cmos MICrocomputer». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M38C37EBMXXXFP | Mitsubishi |
SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
Это результат поиска, начинающийся с "38C37EBMXXXFP", "M38C37EBMXX" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3837 | American Power Devices |
(1N3831 - 1N3845) Four Layer Diodes |
|
1N3837 | Microwave Diode |
(1N3831 - 1N3846) Silicon Planar Thyristor Diodes |
|
2SC3837K | ROHM Semiconductor |
High-Frequency Amplifier Transistor (18V/ 50mA/ 1.5GHz) 2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
Transistors
High-Frequency Amplifier Transistor (18V, 50mA, 1.5GHz)
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
!Features 1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) 2) Small rbb’⋅Cc and high gain. (Typ. 6ps) 3) Small NF. !External dime |
|
2SC3837K | Kexin |
Power Transistor SMD Type
Power Transistor 2SC3837K
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors
Unit: mm
Features
+0.1 2.4-0.1
High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz) Small rbb'.Cc and high gain. (Typ. 6ps)
+0.1 1.3-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
+ |
|
BA3837 | ROHM Semiconductor |
Vocal fader IC Multimedia ICs
Vocal fader IC
BA3837 / BA3837F / BA3838F
The BA3837, BA3837F and BA3838F are ICs with an internal secondary active LPF for vocal cancellation functions and mixing amplifier functions with high degrees of vocal cancellation. Three control pins are used to switch b |
|
BA3837F | ROHM Semiconductor |
Vocal fader IC Multimedia ICs
Vocal fader IC
BA3837 / BA3837F / BA3838F
The BA3837, BA3837F and BA3838F are ICs with an internal secondary active LPF for vocal cancellation functions and mixing amplifier functions with high degrees of vocal cancellation. Three control pins are used to switch b |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |