DataSheet26.com


M38C89MA-XXXFP даташит

Функция этой детали – «Single-chip 8-bit Cmos MICrocomputer».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M38C89MA-XXXFP Mitsubishi
Mitsubishi
  SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "38C89MA", "M38C89MA-XX"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N3889 Digitron Semiconductors
Digitron Semiconductors

FAST RECOVERY RECTIFIER

1N3889-1N3893 High-reliability discrete products and engineering services since 1977 FAST RECOVERY RECTIFIER FEATURES  Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  Available as non-RoHS (Sn/Pb
pdf
1N3889 Microsemi
Microsemi

FAST RECOVERY RECTIFIERS

1N3889 – 1N3891, 1N3893 Available on commercial versions FAST RECOVERY RECTIFIERS Qualified per MIL-PRF-19500/304* DESCRIPTION This 1N3889 – 1N3891 and 1N3893 family of rectifier devices are suitable for applications in DC power supplies, inverters, converters, choppers an
pdf
1N3889 GeneSiC
GeneSiC

Silicon Fast Recovery Diode

Silicon Fast Recovery Diode Features • High Surge Capability • Types up to 400 V VRRM • Not ESD Sensitive Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base. 1N3889 thru 1N3893R VRRM = 50 V - 400 V IF = 12 A DO-4 Package M
pdf
1N3889 Freescale
Freescale

Silicon Rectifier

pdf
1N3889 International Rectifier
International Rectifier

FAST RECOVERY DIODES

pdf
1N3889 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix

(1N3879 - 1N3893) Fast Recovery Diodes

Datasheet.es 1N3879(R), 1N3889(R), 6/12/16FL(R) Series Vishay High Power Products Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A FEATURES • Short reverse recovery time • Low stored charge • Wide current range • Excellent surge capabilities • Standard JEDEC type
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты