|
M45PE80 даташитФункция этой детали – «8 Mbit / Low Voltage / Page-erasable Serial». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M45PE80 | ST Microelectronics |
8 Mbit / Low Voltage / Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 25 MHz SPI Bus Interface M45PE80
8 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memory With Byte-Alterability and a 25 MHz SPI Bus Interface
FEATURES SUMMARY
■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■
■ ■
8Mbit of Page-Erasable Flash Memory Page Write (up to 256 Bytes) in 11ms (typical) Page Program (up to 256 Bytes) in 1.2ms (typical) Page Erase (256 Bytes) in 10ms (typical) Sector Erase (512 Kbit) 2.7 to 3.6V Single Supply Voltage SPI Bus Compatible Serial Interface 25MHz Clock Rate (maximum) Deep Power-down Mode 1µA (typical) Electronic |
|
M45PE80 | Numonyx |
Page-Erasable Serial Flash memory M45PE80
8 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte alterability and a 50 MHz SPI bus interface
Features
■ ■ ■ ■ ■
SPI bus compatible serial interface 50 MHz clock rate (maximum) 2.7 V to 3.6 V single supply voltage 8 Mbit of Page-Erasable Flash memory Page size: 256 bytes: – Page Write in 11 ms (typical) – Page Program in 0.8 ms (typical) – Page Erase in 10 ms (typical) Sector Erase (64 Kbytes) Hardware Write protection of the bottom sector (64 Kbytes) Electronic signature – JEDE |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |