|
M464S3254DTS даташитФункция этой детали – «32mx64 Sdram Sodimm Based On 16mx16 / 4banks». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M464S3254DTS | Samsung semiconductor |
32Mx64 SDRAM SODIMM based on 16Mx16 / 4Banks / 8K Refresh / 3.3V Synchronous DRAMs with SPD M464S3254DTS
M464S3254DTS SDRAM SODIMM
PC133/PC100 SODIMM
32Mx64 SDRAM SODIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh,3.3V Synchronous DRAMs with SPD
GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M464S3254DTS is a 32M bit x 64 Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M464S3254DTS consists of eight CMOS 16M x 16 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 144-pin glass-epoxy substrate. Three 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit |
Это результат поиска, начинающийся с "464S3254DTS", "M464S3254" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M464S3254ETS | Samsung semiconductor |
SDRAM Unbuffered SODIMM 128MB, 256MB, 512MB Unbuffered SODIMM
SDRAM
SDRAM Unbuffered SODIMM
144pin Unbuffered SODIMM based on 256Mb E-die 64-bit Non ECC
Revision 1.5 May 2004
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
Rev. 1.5 May 2004
128MB, 256MB |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |