|
M470L3224FU0 даташитФункция этой детали – «Ddr Sdram Sodimm». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M470L3224FU0 | Samsung semiconductor |
DDR SDRAM SODIMM 128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
DDR SDRAM
DDR SDRAM SODIMM
200pin Unbuffered SODIMM based on 256Mb F-die 64 / 72-bit (Non ECC / ECC)
66 TSOP(II) with Pb-Free (RoHS compliant) Revision 1.2 Oct. 2004
Revision 1.2 Oct. 2004
128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
Revision History
Revision 1.0 (February, 2004) - First release Revision 1.1 (March, 2004) - Corrected package dimension. Revision 1.2 (Oct, 2004) - Corrected typo.
DDR SDRAM
Revision 1.2 Oct. 2004
128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 256Mb F-di |
Это результат поиска, начинающийся с "470L3224FU0", "M470L3224" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M470L3224BT0 | Samsung semiconductor |
256MB DDR SDRAM MODULE M470L3224BT0
200pin DDR SDRAM SODIMM
256MB DDR SDRAM MODULE
(32Mx64 based on 16Mx16 DDR SDRAM)
200pin SODIMM 64-bit Non-ECC/Parity
Revision 0.1 June. 2001
Rev. 0.1 June. 2001
M470L3224BT0
Revision History
Revision 0.0 (Apr. 2001)
1. First release.
200pin DDR SDRAM SODIMM
|
|
M470L3224FT0 | Samsung semiconductor |
DDR SDRAM SODIMM 128MB, 256MB SODIMM
DDR SDRAM
DDR SDRAM SODIMM
200pin Unbuffered SODIMM based on 256Mb F-die 64 / 72-bit (Non ECC / ECC)
Revision 1.2 March, 2004
Rev. 1.2 March 2004
128MB, 256MB SODIMM
Revision History
Revision 1.0 (June, 2003) - First release Revision 1.1 (August, 2003) - |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |