|
M474B1G73QH0 даташитФункция этой детали – «204pin Unbuffered Sodimm Based On 4gb Q-die». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M474B1G73QH0 | Samsung |
204pin Unbuffered SODIMM based on 4Gb Q-die Rev. 1.21, Oct. 2013 M471B5674QH0 M471B5173QH0 M471B1G73QH0 M474B5173QH0 M474B1G73QH0
204pin Unbuffered SODIMM based on 4Gb Q-die
1.35V
78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)
datasheet
SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE. Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind. This document and all information discu |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |