|
M48T59 даташитФункция этой детали – «64 Kbit 8kb X8 Timekeeper Sram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M48T59 | ST Microelectronics |
64 Kbit 8Kb x8 TIMEKEEPER SRAM M48T59 M48T59Y/M48T59V
64 Kbit (8Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM
PRELIMINARY DATA
s
INTEGRATED ULTRA LOW POWER SRAM, REAL TIME CLOCK, POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and BATTERY FREQUENCY TEST OUTPUT for REAL TIME CLOCK SOFTWARE CALIBRATION AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT and WRITE PROTECTION WRITE PROTECT VOLTAGES (VPFD = Power-fail Deselect Voltage): – M48T59: 4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V – M48T59Y: 4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V – M48T59V: 2.7V ≤ VPFD ≤ 3.0V
SNAPHAT (SH) Battery/Crytstal
s
s
s
28
28 1
1
SOH28 (MH)
PCDI |
|
M48T59V | STMicroelectronics |
64 Kbit (8 Kb x 8) TIMEKEEPER SRAM M48T59 M48T59Y/M48T59V
64 Kbit (8Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM
PRELIMINARY DATA
s INTEGRATED ULTRA LOW POWER SRAM, REAL TIME CLOCK, POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and BATTERY
s FREQUENCY TEST OUTPUT for REAL TIME CLOCK SOFTWARE CALIBRATION
s AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT and WRITE PROTECTION
s WRITE PROTECT VOLTAGES (VPFD = Power-fail Deselect Voltage): – M48T59: 4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V – M48T59Y: 4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V – M48T59V: 2.7V ≤ VPFD ≤ 3.0V
s SELF-CONTAINED BATTERY and CRYSTAL in the CAPHAT DIP PACKAGE
|
|
M48T59Y | ST Microelectronics |
64 Kbit 8Kb x8 TIMEKEEPER SRAM M48T59 M48T59Y/M48T59V
64 Kbit (8Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM
PRELIMINARY DATA
s
INTEGRATED ULTRA LOW POWER SRAM, REAL TIME CLOCK, POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT and BATTERY FREQUENCY TEST OUTPUT for REAL TIME CLOCK SOFTWARE CALIBRATION AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT and WRITE PROTECTION WRITE PROTECT VOLTAGES (VPFD = Power-fail Deselect Voltage): – M48T59: 4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V – M48T59Y: 4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V – M48T59V: 2.7V ≤ VPFD ≤ 3.0V
SNAPHAT (SH) Battery/Crytstal
s
s
s
28
28 1
1
SOH28 (MH)
PCDI |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |