|
M48Z58Y даташитФункция этой детали – «64 Kbit (8 Kbit X 8) Zeropower Sram». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M48Z58Y | ST Microelectronics |
64 Kbit (8 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM M48Z58 M48Z58Y
5 V, 64 Kbit (8 Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM
Features
■ Integrated, ultra low power SRAM, power-fail control circuit, and battery
■ READ cycle time equals WRITE cycle time
■ Automatic power-fail chip deselect and WRITE protection
■ WRITE protect voltages: (VPFD = power-fail deselect voltage) – M48Z58: VCC = 4.75 to 5.5 V; 4.5 V ≤ VPFD ≤ 4.75 V – M48Z58Y: VCC = 4.5 to 5.5 V; 4.2 V ≤ VPFD ≤ 4.5 V
■ Self-contained battery in the CAPHAT™ DIP package
■ Packaging includes a 28-lead SOIC |
|
M48Z58Y | ST Microelectronics |
64 Kbit (8 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |