|
M53230224CJ2 даташитФункция этой детали – «(m53230224ce2/cj2) Dram Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M53230224CJ2 | Samsung Semiconductor |
(M53230224CE2/CJ2) DRAM Module
DRAM MODULE
M53230224CE2/CJ2 Extended Data Out 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M53230224D is a 2Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M53230224D consists of four CMOS 1Mx16bits DRAMs in 42-pin SOJ package mounted on a 72-pin glass-epoxy substrate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the printed circuit board for each DRAM. The M53230224D is a Single In-line Memory Module with edge connections and is intended for mou |
Это результат поиска, начинающийся с "53230224CJ2", "M53230224" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M53230224CE2 | Samsung Semiconductor |
(M53230224CE2/CJ2) DRAM Module
DRAM MODULE
M53230224CE2/CJ2 Extended Data Out 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M53230224D is a 2Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M53230224D consists of four CMOS 1Mx16bits DRAMs in 42- |
|
M53230224DE2 | Samsung Semiconductor |
(M53230224DE2/DJ2) DRAM Module
DRAM MODULE
M53230224DE2/DJ2 Extended Data Out 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M53230224D is a 2Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M53230224D consists of four CMOS 1Mx16bits DRAMs in 42- |
|
M53230224DJ2 | Samsung Semiconductor |
(M53230224DE2/DJ2) DRAM Module
DRAM MODULE
M53230224DE2/DJ2 Extended Data Out 2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
GENERAL DESCRIPTION
The Samsung M53230224D is a 2Mx32bits Dynamic RAM high density memory module. The Samsung M53230224D consists of four CMOS 1Mx16bits DRAMs in 42- |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |