|
M53230404CT0-C даташитФункция этой детали – «(m53230404ct0/cy0) Dram Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
M53230404CT0-C | Samsung Semiconductor |
(M53230404CT0/CY0) DRAM Module
DRAM MODULE
M53230404CY0/CT0-C
4Byte 4Mx32 SIMM
(4Mx16 base)
Datasheet26.comom
DataShee
Revision 0.0 June 1999
Datasheet26.comom
DataSheet 4 U .com
DRAM MODULE
Revision History
Version 0.0 (June 1999)
• The 4th. generation of 64Mb DRAM components are applied for this module.
M53230404CY0/CT0-C
et4U.com
Datasheet26.comom
DataShee
Datasheet26.comom
DataSheet4 U .com
DRAM MODULE
M53230404CY0/CT0-C EDO Mode 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
|
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |