DataSheet26.com


M53230404CY0 даташит

Функция этой детали – «(m53230404ct0/cy0) Dram Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
M53230404CY0 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
  (M53230404CT0/CY0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230404CY0/CT0-C 4Byte 4Mx32 SIMM (4Mx16 base) Datasheet26.comom DataShee Revision 0.0 June 1999 Datasheet26.comom DataSheet 4 U .com DRAM MODULE Revision History Version 0.0 (June 1999) • The 4th. generation of 64Mb DRAM components are applied for this module. M53230404CY0/CT0-C et4U.com Datasheet26.comom DataShee Datasheet26.comom DataSheet4 U .com DRAM MODULE M53230404CY0/CT0-C EDO Mode 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "53230404CY0", "M53230404"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
M53230404BT0-C Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

(M53230404BT0/BY0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230404BY0/BT0-C 4Byte 4Mx32 SIMM (4Mx16 base) datasheet.esom DataShee Revision 0.1 June 1998 datasheet.esom DataSheet 4 U .com DRAM MODULE Revision History Version 0.0 (Sept. 1997) M53230404BY0/BT0-C • Removed
pdf
M53230404BY0 Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

(M53230404BT0/BY0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230404BY0/BT0-C 4Byte 4Mx32 SIMM (4Mx16 base) datasheet.esom DataShee Revision 0.1 June 1998 datasheet.esom DataSheet 4 U .com DRAM MODULE Revision History Version 0.0 (Sept. 1997) M53230404BY0/BT0-C • Removed
pdf
M53230404CT0-C Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor

(M53230404CT0/CY0) DRAM Module

DRAM MODULE M53230404CY0/CT0-C 4Byte 4Mx32 SIMM (4Mx16 base) datasheet.esom DataShee Revision 0.0 June 1999 datasheet.esom DataSheet 4 U .com DRAM MODULE Revision History Version 0.0 (June 1999) • The 4th. generation of 64Mb D
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты